画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | 2N7008-G |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 230mA (Tj) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 50pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |