BYV415K-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
BYV415K-600PQ P1
BYV415K-600PQ P1
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WeEn Semiconductors ~ BYV415K-600PQ

Numero di parte
BYV415K-600PQ
fabbricante
WeEn Semiconductors
Descrizione
DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- BYV415K-600PQ PDF online browsing
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Array
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Numero di parte BYV415K-600PQ
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 15A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 15A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 45ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P

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