VS-FB190SA10

MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
VS-FB190SA10 P1
VS-FB190SA10 P2
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-FB190SA10

Numero di parte
VS-FB190SA10
fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte VS-FB190SA10
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 190A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 180A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC

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