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| Numero di parte | VQ1006P-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 4 N-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 14-DIP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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VQ1001P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | - | 0 | Dettagli |
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VQ1001P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | - | 0 | Dettagli |
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VQ1001P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | - | 0 | Dettagli |
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VQ1004P | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | - | 0 | Dettagli |
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VQ1004P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | - | 0 | Dettagli |
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VQ1004P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | - | 0 | Dettagli |
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VQ1006P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP | - | 0 | Dettagli |
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VQ1006P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP | - | 0 | Dettagli |
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VQ1006P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP | - | 0 | Dettagli |
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VQ1011500000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 10P SIDE ENT 3.5MM PCB | - | 38613 | Dettagli |
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VQ1011510000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 10P SIDE ENT 3.5MM PCB | - | 36489 | Dettagli |
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VQ1031500000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 10P SIDE ENT 3.81MM PCB | - | 38613 | Dettagli |