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Numero di parte | SUM33N20-60P-E3 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2735pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.12W (Ta), 156W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 20A, 15V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |