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| Numero di parte | SQP120P06-6M7L_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQP120N06-06_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB | - | 33812 | Dettagli |
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SQP120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | - | 27051 | Dettagli |
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SQP120N06-6M7_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET | - | 34680 | Dettagli |
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SQP120N10-09_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | - | 20018 | Dettagli |
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SQP120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | - | 16887 | Dettagli |
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SQP120P06-6M7L_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET | - | 30056 | Dettagli |