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| Numero di parte | SQJ990EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V |
| Potenza - Max | 48W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SQJ990EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8 | - | 0 | Dettagli |
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SQJ992EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | - | 0 | Dettagli |