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| Numero di parte | SQA470EJ-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.25A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 13.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SQA470EEJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70 | - | 287988 | Dettagli |
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SQA470EJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V POWERPAK SC-70-6 | - | 0 | Dettagli |