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| Numero di parte | SQ4949EY-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Potenza - Max | 3.3W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SQ4946AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 7A | - | 0 | Dettagli |
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SQ4946EY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SQ4949EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC | - | 79147 | Dettagli |