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| Numero di parte | SIZF906DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Potenza - Max | 38W (Tc), 83W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAIR® 6x5F |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIZF906ADT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CHAN 30V | - | 86214 | Dettagli |
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SIZF906DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR | - | 3000 | Dettagli |