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Numero di parte | SIZ980DT-T1-GE3 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V |
Potenza - Max | 20W, 66W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® |