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| Numero di parte | SIZ926DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V |
| Potenza - Max | 20.2W, 40W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | - | 0 | Dettagli |
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SIZ926DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V POWERPAIR 6X5 | - | 0 | Dettagli |