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| Numero di parte | SIZ790DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A, 35A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 15V |
| Potenza - Max | 27W, 48W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-PowerPair™ |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PowerPair™ |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR | - | 3000 | Dettagli |