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| Numero di parte | SIR800DP-T1-RE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5125pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SIR800ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8 | - | 83104 | Dettagli |
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SIR800ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V POWERPAK SO8 SNG | - | 256 | Dettagli |
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SIR800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
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SIR800DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8 | - | 88664 | Dettagli |
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SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | - | 9000 | Dettagli |
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SIR804DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
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SIR808DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK | 0 | Dettagli |