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| Numero di parte | SIHU3N50D-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251AA |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SIHU2N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK | - | 37634 | Dettagli |
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SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | - | 0 | Dettagli |
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SIHU3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | - | 0 | Dettagli |
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SIHU3N50DA-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK | - | 167480 | Dettagli |
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SIHU4N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 | - | 29800 | Dettagli |
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SIHU5N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | - | 0 | Dettagli |
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SIHU5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | - | 0 | Dettagli |
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SIHU6N62E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 | - | 0 | Dettagli |
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SIHU6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 6A IPAK | - | 3000 | Dettagli |
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SIHU6N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 | - | 25626 | Dettagli |
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SIHU7N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 | - | 0 | Dettagli |
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SIHU7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 | - | 0 | Dettagli |