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| Numero di parte | SI9424BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±9V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI9424BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI9424BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI9424DY | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | 0 | Dettagli |