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| Numero di parte | SI5938DU-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Potenza - Max | 8.3W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI5933CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI5933CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI5933DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI5933DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI5935CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI5935DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI5935DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8 | - | 0 | Dettagli |
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SI5936DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET | - | 0 | Dettagli |
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SI5938DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK | - | 0 | Dettagli |