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Numero di parte | SI5511DC-T1-E3 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
Potenza - Max | 3.1W, 2.6W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |