SI5445BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
SI5445BDC-T1-E3 P1
SI5445BDC-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI5445BDC-T1-E3

Numero di parte
SI5445BDC-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- SI5445BDC-T1-E3 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte SI5445BDC-T1-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 5.2A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead

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