Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
Numero di parte | SI4451DY-T1-E3 |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 850µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (massimo) | ±8V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.25 mOhm @ 14A, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |