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| Numero di parte | SI4413CDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4413ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI4413ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI4413CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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SI4413DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 8SOIC | - | 63926 | Dettagli |