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| Numero di parte | SI1400DL-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 568mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI1400DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6 | - | 3000 | Dettagli |
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SI1400DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1401EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1402DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 | - | 0 | Dettagli |
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SI1402DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 | - | 0 | Dettagli |
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SI1403BDL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6 | - | 3000 | Dettagli |
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SI1403BDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 | - | 320066 | Dettagli |
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SI1403CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 | - | 3000 | Dettagli |
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SI1404BDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363 | - | 0 | Dettagli |
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SI1404BDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363 | - | 0 | Dettagli |
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SI1405BDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363 | - | 0 | Dettagli |
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SI1405BDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6 | - | 0 | Dettagli |