SI1033X-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
SI1033X-T1-GE3 P1
SI1033X-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI1033X-T1-GE3

Numero di parte
SI1033X-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- SI1033X-T1-GE3 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte SI1033X-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 250mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6

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