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| Numero di parte | S2G-E3/1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1.5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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S2G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | - | 0 | Dettagli |
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S2G M4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | - | 811285 | Dettagli |
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S2G R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | - | 652210 | Dettagli |
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S2G-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB | 0 | Dettagli | |
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S2G-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB | - | 6000 | Dettagli |
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S2G-E3/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA | 0 | Dettagli | |
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S2G-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA | 750 | Dettagli | |
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S2G-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA | 0 | Dettagli | |
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S2G-LTP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 400V DO214AA | - | 0 | Dettagli |
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S2G-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 400V DO-214AA | - | 0 | Dettagli |
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S2G-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 400V DO-214AA | - | 0 | Dettagli |
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S2G-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | - | 9000 | Dettagli |