S07M-GS08

DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO219
S07M-GS08 P1
S07M-GS08 P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ S07M-GS08

Numero di parte
S07M-GS08
fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO219
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte S07M-GS08
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 1.8µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore DO-219AB (SMF)
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C

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