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| Numero di parte | RS3J-M3/9AT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB, (SMC) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RS3J M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | - | 680936 | Dettagli |
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RS3J R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | - | 427663 | Dettagli |
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RS3J V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | - | 586361 | Dettagli |
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RS3J V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | - | 527725 | Dettagli |
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RS3J-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 3A SMC | 0 | Dettagli | |
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RS3J-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 3A SMC | 3000 | Dettagli | |
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RS3J-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | - | 0 | Dettagli |
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RS3J-E3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | - | 3500 | Dettagli |
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RS3J-M3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 3A 600V 250NS DO-214AB | - | 0 | Dettagli |
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RS3J-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 3A 600V 250NS DO-214AB | - | 0 | Dettagli |
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RS3JB-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB | 0 | Dettagli | |
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RS3JB-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB | 12000 | Dettagli |