IRLL110TR

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
IRLL110TR P1
IRLL110TR P1
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Vishay Siliconix ~ IRLL110TR

Numero di parte
IRLL110TR
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRLL110TR
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 900mA, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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