IRFL9110PBF

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
IRFL9110PBF P1
IRFL9110PBF P1
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Vishay Siliconix ~ IRFL9110PBF

Numero di parte
IRFL9110PBF
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRFL9110PBF
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 660mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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