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| Numero di parte | IRF820LPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | 0 | Dettagli | |
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IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | 0 | Dettagli | |
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IRF8113GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF820 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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IRF820A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB | - | 0 | Dettagli |