IRF7822TRR

MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
IRF7822TRR P1
IRF7822TRR P1
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Vishay Siliconix ~ IRF7822TRR

Numero di parte
IRF7822TRR
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRF7822TRR
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 16V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 15A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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