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| Numero di parte | IRF720LPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262-3 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF710 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB | - | 0 | Dettagli |
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IRF7101PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF7101TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 4000 | Dettagli | |
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IRF7102 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF7103PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 5991 | Dettagli | |
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IRF7103Q | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF7103QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 12000 | Dettagli | |
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IRF7104PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF7105PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 1060 | Dettagli | |
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IRF7105QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 0 | Dettagli |