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| Numero di parte | GL41B-E3/97 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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GL4100 | Sharp Microelectronics | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | 0 | Dettagli | |
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GL4100E0000F | Sharp Microelectronics | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | 0 | Dettagli | |
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GL41A-E3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Dettagli |
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GL41A-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 10000 | Dettagli |
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GL41A/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Dettagli |
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GL41AHE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Dettagli |
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GL41AHE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | - | 0 | Dettagli |
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GL41B-E3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Dettagli |
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GL41B-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Dettagli |
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GL41B/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Dettagli |
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GL41BHE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Dettagli |
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GL41BHE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | - | 0 | Dettagli |