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| Numero di parte | BAQ33-GS08 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 200mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1nA @ 15V |
| Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BAQ33-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80 | - | 0 | Dettagli |
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BAQ33-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80 | - | 0 | Dettagli |
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BAQ333-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 40V 200MA MICROMELF | - | 5000 | Dettagli |
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BAQ333-TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 30V 200MA MICROMELF | - | 0 | Dettagli |
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BAQ334-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 60V 200MA MICROMELF | - | 0 | Dettagli |
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BAQ334-TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 60V 200MA MICROMELF | - | 0 | Dettagli |
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BAQ335-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 125V 200MA MICROMELF | - | 0 | Dettagli |
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BAQ335-TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 125V 200MA MICROMELF | - | 0 | Dettagli |
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BAQ34-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80 | - | 0 | Dettagli |
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BAQ34-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80 | - | 0 | Dettagli |
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BAQ35-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 140V 200MA SOD80 | - | 2500 | Dettagli |
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BAQ35-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80 | - | 0 | Dettagli |