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| Numero di parte | BAL99-HE3-08 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 250mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
| Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BAL99,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 70V 215MA SOT23 | 6000 | Dettagli | |
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BAL99-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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BAL99-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3 | - | 318000 | Dettagli |
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BAL99-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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BAL99-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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BAL99-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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BAL99-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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BAL99-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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BAL99-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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BAL99E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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BAL99E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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BAL99LT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 70V 100MA SOT23-3 | - | 11781 | Dettagli |