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| Numero di parte | 1N4150W-E3-08 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 200mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOD-123 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
| Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N4150 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | 0 | Dettagli | |
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1N4150 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | - | 20000 | Dettagli |
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1N4150-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | - | 829 | Dettagli |
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1N4150TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N4150TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N4150TR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | - | 10006 | Dettagli |
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1N4150UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA | - | 75 | Dettagli |
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1N4150UR-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING | - | 32 | Dettagli |
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1N4150W-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 25073 | Dettagli |
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1N4150W-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 20000 | Dettagli |
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1N4150W-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 0 | Dettagli |
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1N4150W-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 0 | Dettagli |