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Numero di parte | TPH3206PSB |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
Vgs (massimo) | ±18V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 81W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |