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| Numero di parte | TPCF8402(TE85L,F,M |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 10V |
| Potenza - Max | 330mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VS-8 (2.9x1.5) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TPCF8402(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8 | 0 | Dettagli |