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| Numero di parte | TPCC8093,L1Q |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1860pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta), 30W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Dettagli | |
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TPCC8002-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Dettagli | |
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TPCC8002-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Dettagli | |
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TPCC8003-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON | 0 | Dettagli | |
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TPCC8005-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON | 0 | Dettagli | |
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TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Dettagli | |
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TPCC8008(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON | 3000 | Dettagli | |
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TPCC8009,LQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV | 0 | Dettagli | |
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TPCC8093,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 309493 | Dettagli |