TPC8021-H(TE12LQ,M

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
TPC8021-H(TE12LQ,M P1
TPC8021-H(TE12LQ,M P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC8021-H(TE12LQ,M

Numero di parte
TPC8021-H(TE12LQ,M
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte TPC8021-H(TE12LQ,M
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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