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| Numero di parte | TK5Q65W,S1Q |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.22 Ohm @ 2.6A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TK5Q60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK | - | 236 | Dettagli |
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TK5Q65W,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK | - | 315 | Dettagli |