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| Numero di parte | TK31V60X,LQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 9.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (8x8) |
| Pacchetto / caso | 4-VSFN Exposed Pad |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TK31A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS | - | 0 | Dettagli |
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TK31E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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TK31E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220 | - | 95 | Dettagli |
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TK31J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) | - | 47 | Dettagli |
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TK31J60W5,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N) | - | 0 | Dettagli |
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TK31N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 | - | 95 | Dettagli |
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TK31N60W5,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 | - | 240 | Dettagli |
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TK31N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 | - | 294 | Dettagli |
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TK31V60W,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN | - | 0 | Dettagli |
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TK31V60W5,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN | - | 2500 | Dettagli |
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TK31V60X,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN | - | 2500 | Dettagli |