Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | TK13A65U(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 6.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS | - | 3217 | Dettagli |
 |
TK13A65U(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS | 1755 | Dettagli |