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| Numero di parte | SSM5N15FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ESV |
| Pacchetto / caso | SOT-553 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM5N15FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 100MA ESV | - | 4000 | Dettagli |
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SSM5N15FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A USV | - | 3000 | Dettagli |
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SSM5N16FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A USV | - | 0 | Dettagli |