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| Numero di parte | SSM3J56ACT,L3F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | CST3 |
| Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM3J114TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM | - | 0 | Dettagli |
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SSM3J120TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A UFM | - | 21000 | Dettagli |
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SSM3J129TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM | - | 0 | Dettagli |
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