JDH2S02SL,L3F

X34 HIGH FREQUENCY SCHOTTKY BARR
JDH2S02SL,L3F P1
JDH2S02SL,L3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ JDH2S02SL,L3F

Numero di parte
JDH2S02SL,L3F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
X34 HIGH FREQUENCY SCHOTTKY BARR
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte JDH2S02SL,L3F
Stato parte Active
Tipo diodo Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 10V
Corrente - Rettificato medio (Io) 10mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If -
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 500mV
Capacità @ Vr, F 0.25pF @ 200mV, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 0201 (0603 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore SL2
Temperatura operativa - Giunzione 125°C (Max)

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