CSD19531Q5A

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
CSD19531Q5A P1
CSD19531Q5A P1
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Texas Instruments ~ CSD19531Q5A

Numero di parte
CSD19531Q5A
fabbricante
Texas Instruments
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- CSD19531Q5A PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte CSD19531Q5A
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3870pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-VSON (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN

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