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| Numero di parte | N06DB4R7M |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| genere | - |
| Materiale: core | - |
| Induttanza | 4.7µH |
| Tolleranza | ±20% |
| Valutazione attuale | 2.5A |
| Corrente - Saturazione | - |
| Schermatura | Unshielded |
| Resistenza DC (DCR) | 46 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| Frequenza - Auto Risonanza | 33MHz |
| Giudizi | - |
| temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
| Frequenza - Test | 1kHz |
| Caratteristiche | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Nonstandard |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Dimensione / Dimensione | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
| Altezza - Seduto (max) | 0.126" (3.20mm) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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N06 080 0003 1 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Dettagli |
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N06 080 0003 2 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Dettagli |
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N06 080 0003 3 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Dettagli |
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N06 080 0003 4 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Dettagli |
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N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | - | 0 | Dettagli |
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N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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N0603N-S23-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | - | 0 | Dettagli |
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N0604N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 82A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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N06DB100K | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 1.7A 79 MOHM SMD | 0 | Dettagli | |
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N06DB101K | Taiyo Yuden | FIXED IND 100UH 600MA 680 MOHM | 0 | Dettagli | |
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N06DB102J | Taiyo Yuden | FIXED IND 1MH 160MA 8.2 OHM SMD | 0 | Dettagli | |
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N06DB150K | Taiyo Yuden | FIXED IND 15UH 1.3A 120 MOHM SMD | 0 | Dettagli |