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| Numero di parte | TSM60NB041PW C1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 78A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 21.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6120pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 446W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TSM60N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252 | - | 112354 | Dettagli |
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TSM60N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252 | - | 145239 | Dettagli |
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TSM60N380CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220 | - | 28025 | Dettagli |
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TSM60N600CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251 | - | 39202 | Dettagli |
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