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| Numero di parte | TSM3N90CI C0G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 748pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TSM3N100CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252 | - | 157229 | Dettagli |
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TSM3N80CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251 | - | 47381 | Dettagli |
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TSM3N80CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A ITO220 | - | 43045 | Dettagli |
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TSM3N80CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252 | - | 118168 | Dettagli |
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TSM3N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220 | - | 33262 | Dettagli |
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TSM3N90CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251 | - | 45736 | Dettagli |
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TSM3N90CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220 | - | 32443 | Dettagli |
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TSM3N90CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO252 | - | 114543 | Dettagli |
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TSM3N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220 | - | 32443 | Dettagli |