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| Numero di parte | STU2N80K5 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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STU10N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V IPAK | - | 91 | Dettagli |
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